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来源：汇富纳米|
发表时间：2023-01-29
点击：2937
化学机械抛光液研究初期主要使用单一磨料，如氧化铝、二氧化硅、氧化锆等。其中二氧化硅具有良好的稳定性和分散性，不会引入金属阳离子污染，其硬度与单质硅接近，对基底材料造成的刮伤划痕较少，适合用于软金属，硅等材料的抛光，是应用最广泛的抛光液，但其材料去除率较低。
由于气相法二氧化硅的技术性能指标，其高纯度是沉淀法二氧化硅难以达到的，因此目前大多选用气相二氧化硅制备CMP浆料。由于气相二氧化硅表面具有一定数量的硅羟基，它们可与水形成氢键作用，产生严重的增稠作用，如果不对气相二氧化硅进行表面处理很难制备高浓度的浆料。因此在使用过程中需要对其进行适当的表面处理，降低其增稠度，提高浓度与分散稳定性。
CMP浆料中纳米二氧化硅的粒径大小、二氧化硅浓度、抛光液的PH、粘度等对其性能影响比较大，研磨粒子的粒径和浓度过小，研磨速率慢，如果过大，则可能产生划痕，应选择粒径为80nm左右的二氧化硅；浆料的pH值则影响化学腐蚀速率，腐蚀速率太快容易产生雾斑、橘皮等，腐蚀慢容易产生划痕等，需要研磨速率与腐蚀效率相匹配，一般pH值保持在10-12。此外研磨工艺条件（压力、速度等）也是一个重要的影响因素。
随着CMP技术及纳米粉体制备技术的发展，CMP技术的应用领域也越来越广，已知半导体工业中的层间介质、绝缘体、导体、镶嵌金属、多晶硅、硅氧化物沟道的平面化拓展薄膜存贮磁盘、微电子机械系统、陶瓷、磁头、机械磨具、精密阀门、光学玻璃、金属材料等表面加工领域。目前CMP领域已经成为气相二氧化硅消费的一大增长点。
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