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重大突破！国内首款全自研中小容量19nm 2D NAND闪存芯片研制成功

来源：新材料在线|

发表时间：2022-12-13

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12月13日，至讯创新宣布，其自主研发的国内首款中小容量19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。这是国内存储行业的跨越式突破。

至讯创新表示，这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用串行接口SPI和WSON封装。

据介绍，其可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。至讯创新数据显示，该产品实现了芯片面积缩小40%，I / O速度提升25%，擦写周期提升70%。

官方信息显示，至讯创新成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构。目前，至讯创新正进行A轮融资。

资料来源：IT之家、至讯创新

封面来源：图虫创意

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