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来源：新材料在线|
发表时间：2022-12-09
点击：14125
热烈祝贺厦门中芯晶研半导体有限公司入驻有材®云展会！
厦门中芯晶研半导体有限公司是一家集半导体晶体
主营业务/产品：碳化硅晶片，氮化镓晶片，磷化铟晶片，砷化镓晶片，砷化铟晶片，锗片……
部分展品展示
锑化铟（InSb）晶片
锑化铟是由元素铟和锑组成的结晶化合物，属于窄带隙半导体，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。其能隙在300K时为0.17eV，在80K时为0.23eV。未掺杂的锑化铟拥有高于已知半导体材料的室温电子迁移率（78000cm2/Vs）。
碳化硅（SiC）晶片
碳化硅由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势:
1、更高的临界雪崩击穿场强；
2、 更大的导热系数；
3、更宽的禁带。
因此，碳化硅晶片可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。
SiC衬底具有更高的电场强度，因而可以使用更薄的基础结构，其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外，SiC的掺杂浓度比硅高2倍，因此器件的表面电阻降低了，传导损耗也显著减少。
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