设置登录密码
*密码
*确认密码
完善信息
*真实姓名
*公司名称
*您的职位
城市
*邮箱
*主营产品
*行业
企业类型
材质
功能
来源：手机报在线|
发表时间：2019-04-17
点击：11102
文章来源：IT之家
4月16日消息三星官网发布消息称，三星电子已经成功完成5nm EUV开发，以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。
三星电子称，其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。
与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
三星称，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权（IP）重用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本，预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的5nm产品开发时间。
“成功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力，”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”
2018年10月，三星宣布准备并初步生产7nm工艺，这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品，并于今年初开始量产7nm工艺。
此外，三星正在与6nm的客户合作，这是一个定制的基于EUV的工艺节点，并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。
本文封面图来源于图虫创意
“本文由新材料在线®平台入驻媒体号手机报在线提供，观点仅代表作者本人，不代表本网站及新材料在线®立场，本站不对文章内容真实性、准确性等负责，尤其不对文中产品有关功能性、效果等提供担保。本站提醒读者，文章仅供学习参考，不构成任何投资及应用建议。如需转载，请联系原作者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请与我们联系，我们将在第一时间处理！本站拥有对此声明的最终解释权。”
