全球各大代工厂的逻辑集成电路工艺技术不断进步

[据electroiq网站2019年02月22日报道]集成电路制造商是否有能力继续为消费者提供更高的性能和功能器件决定了集成电路产业的发展。随着主流互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程已经达到其理论、实践和经济上的极限，降低集成电路的成本比以往任何时候都更加关键和具有挑战性。2019年版的集成电路洞察麦克莱恩报告对集成电路行业进行了全面的分析和预测(2019年1月发布)，报告显示，企业所提供的逻辑器件制造技术比以往任何时候都更加多样化。

英特尔―2018年末发布第九代处理器“咖啡湖-S”（CoffeeLake-S）。英特尔表示，这些处理器是新一代产品，但它们似乎更像是加强版的第八代处理器。细节尚不清楚，但这些处理器似乎是在14nm工艺的增强版上制造的，或者可以认为是14nm工艺。

英特尔10nm制程芯片的大规模生产将于2019年提速，并将于2018年12月推出新的“阳光湾”系列处理器。看起来“阳光湾”架构已基本上取代了原定于2019年发布的10nm“大炮湖”架构。2020年，10nm工艺有望大规模量产。

台积电-台积电的10nmfinFET工艺于2016年末进入量产，但随后10nm工艺迅速过渡到7nm工艺。台积电相信，7nm工艺将会像28nm和16nm工艺一样具有较长的生命周期。

台积电的5nm制程正在研发中，计划于2019年上半年进入风险生产阶段，2020年实现量产。该制程将使用EUV技术，但这并不是台积电首个利用EUV技术的制程。首个利用EUV技术的是7nm增强版制程。7nm增强版制程将只在关键层(4层)使用EUV技术，而5nm制程将广泛使用EUV技术(最多14层)。7nm增强版计划在2019年第二季度进入量产阶段。

三星-2018年初，三星开始大规模生产第二代10nm制程，称为10LPP(低功耗增强版)。2018年晚些时候，三星又推出了第三代10nm制程，称为10LPU(低功耗终极版)，又一次提高了性能。三星采用10nm三次掩模光刻技术，与台积电不同，三星认为其10nm制程的产品（包括8nm衍生产品）将具有较长的生命周期。

2018年10月，三星7nm工艺进入风险生产阶段。该公司决定7nm制程跳过沉浸式光刻技术，直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司7nm制程共有8-10层使用EUV技术。

格罗方德-格罗方德将其22nm全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）工艺视为其14nmfinFET技术的补充。该公司表示，22FDX（22nmFD-SOI）平台的性能与finFET非常接近，但制造成本与28nm技术相同。

2018年8月，格罗方德做出了战略上的重大转变，宣布暂停7nm的开发，因为该技术节点的产能提升成本巨大，而且计划使用下一代工艺的代工客户太少。因此，公司将研发工作转移到进一步加强其14nm和12nm的finFET工艺和全耗尽型绝缘层上硅（FD-SOI）技术。

五十年来，集成电路技术的生产力和性能有了惊人的提高。虽然半导体行业已经克服了摆在它面前的许多障碍，但这些障碍似乎越来越大。尽管如此，集成电路的设计和制造正在开发的解决方案，似乎正在革命性而非渐进式地增强芯片的性能。（工业和信息化部电子第一研究所李茜楠）

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