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英特尔在7nm将拥抱EUV技术

来源:半导体行业观察|

发表时间:2019-01-02

点击:11142

文章来源:工商时报 


随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光(EUV)微影技术,并会在2019年进入量产阶段,半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。


英特尔10纳米制程推进不如预期,导致14纳米产能供不应求,并造成2018年第四季以来的处理器缺货问题,预期要等到2019年第二季才会获得纾解。英特尔日前已宣布将扩大资本支出提升产能,并且预期10纳米Ice Lake处理器将在今年第四季量产出货。


至于英特尔未来制程微缩计划,据外电报导,掌管英特尔制程及制造业务技术及系统架构事业的总裁兼首席工程师Murthy Renduchintala日前指出,10纳米制程与2014年订定的制程标准相同,不论性能、密度、功耗等都保持不变。另外,有了10纳米的制程研发经验,英特尔7纳米发展良好,并将加入新一代EUV微影技术,由于10纳米及7纳米是由不同团队开发,7纳米EUV制程不会受到10纳米制程延迟影响。不过,英特尔未提及7纳米何时可进入量产。



据猜测,英特尔原原计划10nm后第四年推出,所以就是2020年底,假如真能做到,那么10nm制程将会是最短命的一代制程。


按照估计,Intel可能还要配置多20~40台ASML的7nm EUV光刻机来达到月产10万片的能力。(7nm EUV光刻机单台售价1.2亿美元。)


业界指出,台积电及三星的7纳米EUV制程2019年逐步提升产能,但要开始真正大量进行投片量产,应该要等到2020年之后。英特尔的7纳米EUV制程要真正进入生产阶段,预期也要等到2020年或2021年之后。不过,以三大半导体厂的计划来看,EUV微影技术将成为7纳米及更先进制程的主流。


本文封面图来源于图虫创意

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