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美格纳半导体公司提供第三代180纳米BCD工艺技术

来源：国防科技信息网|

发表时间：2018-12-25

点击：17055

[据electroiq网站2018年12月21日报道]美格纳半导体公司（Magna Chip）是一家模拟及混合信号半导体产品设计及制造企业。Magna Chip近日宣布向制造厂客户提供第三代180nm双极性-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体（BCD）工艺技术。BCD技术非常适用于集成电源管理电路(PMIC)、直流斩波器（DC-DC Converters）、电池充电器件、保护器件、电机驱动器件、LED驱动器件和音频放大器。第三代180nm BCD工艺改善了功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的导通电阻（Rsp），最高运行电压可以达到40V。

为了减少电源模块的元件数量，实现芯片多功能化，对高性能、高效性的BCD技术集成电路需求越来越大。在BCD技术中，功率LDMOS的Rsp特性是一个关键的性能参数，因为具有低Rsp LDMOS的BCD技术有助于减小功率集成电路芯片的尺寸和功耗。近十年来，Magna Chip一直致力于功率LDMOS的Rsp改进。现在，通过工艺和器件架构优化，Magna Chip的第三代180nm BCD工艺技术比上一代降低了大约30%的Rsp。

不同的应用和集成电路设计方案对BCD技术的要求也不同。为了满足各种需求，Magna Chip采用模块化工艺概念，可生成1.8V、5V、12~40V不同组合的晶体管。除了当前的器件组合，Magna Chip计划在2019年发布新器件，例如：针对特定的工作电压范围进行优化的定制LDMOS器件和功率集成电路中适用于电压控制、高频运行的低Vgs(栅源偏置电压)LDMOS器件。

第三代BCD工艺技术提供了多种可选的器件，增强了设计的集成度和灵活性。可选的器件包括双极晶体管、齐纳二极管、高阻多晶硅电阻器、氮化钽电阻器、金属-绝缘体-金属(MIM)电容器、金属-氧化物-金属（MOM）电容器、熔断器、可编程存储器。

第三代BCD工艺技术支持功率集成电路更严格的可靠性需求，如在汽车应用中，第三代BCD工艺技术得到了汽车级AEC-Q100一级温度（-40~125°C）鉴定规格的认证。

Magna Chip的首席执行官YJKim评论说：“第三代180nm低导通电阻BCD工艺技术非常适用于许多功率集成电路，因为它有助于减小芯片尺寸和提高器件功率。Magna Chip将持续改进BCD工艺技术的性能，这将有助于帮助客户提升产品的竞争力。”（工业和信息化部电子第一研究所李茜楠）

本文封面图来源于图虫创意

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