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国家信息光电子创新中心与武汉虹拓合作攻“芯”

来源:中国科学报|

发表时间:2018-12-24

点击:11801

近日,国家信息光电子创新中心与武汉虹拓新技术公司在武汉签署合作协议,共同开发飞秒频率梳光芯片。

国家信息光电子创新中心技术研发总监傅焰峰表示,我国在“超大容量、超高速率、超长距离”光通信传输领域,连续取得重大科技突破,然而大量的芯片仍然要依赖进口,这次合作,借助双方的优势资源,在国内共同建立“芯片级超快激光器 ”研发平台。这一合作将有效提升我国在超快激光器技术及其产业应用方面的核心竞争力,实现双方合作共赢的战略愿景。


本文封面图来源于图虫创意

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