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《Science》:阻塞温度TB高达80K的单分子磁体

来源:新材料在线|

发表时间:2018-12-21

点击:22410

本文整理自材料人


近日,《Science》在线发表了英国萨塞克斯大学R. A. Layfield、芬兰于韦斯屈莱大学A. Mansikkamäki以及中山大学童明良等合作的最新成果,阻塞温度TB高达80K的单分子磁体。该工作克服了单分子磁体发展道路上的一大挑战,奠定了实现纳米磁体的实际应用的基础。


报道称,科学家们利用化学手段设计配体框架的策略,在单分子磁体中分别缩小了Dy-Cpcent距离以及扩大了Cp-Dy-Cp弯曲角度。通过对这两个关键结构参数的调控,可以促使单分子磁体在80K这一温度上展现出磁学特性。


本文封面图来源于图虫创意

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