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来源：粉体圈|
发表时间：2018-11-20
点击：17670
冷切割流程示意图（来源： Siltectra）
冷切割工艺简介：
1、 专利激光技术定义材料分裂范围； 2、用专用聚合物涂覆材料；3、控制系统冷却诱导应力精准分裂材料；4、化学清洗聚合物涂层并研磨基材。
Siltectra目前已拥有50多个专利家族的知识产权组合。与传统工艺相比，这家初创公司开发的冷切割技术是一种低损高效的晶体材料分解技术，并且该技术也可以应用于半导体材料SiC。如今，SiC产品已经用于非常高效和紧凑的太阳能逆变器中。未来，SiC将在电动汽车中发挥越来越重要的作用。冷切割技术将在德国的Siltectra工厂和奥地利的英飞凌工厂实现工业化。预计将在未来五年内完成向批量生产的转移。
英飞凌提供最广泛的基于硅的功率半导体产品组合以及碳化硅和氮化镓的创新基板。它是全球唯一一家在 300毫米晶圆上批量生产的公司。长远来看，冷切割技术将有助于确保SiC产品的供应。后续，冷切割技术有望得到更广泛的应用，比如晶锭分割、或用于SiC之外的材料。
对于此次收购，英飞凌 CEO，ReinhardPloss博士表示：“此次收购有助于我们利用SiC新材料，并拓展我司优秀的产品组合。我们对薄晶圆技术的系统理解和独特的专业知识，将与Siltectra的创新能力和冷切割技术相辅相成。”
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