新加坡国立大学开发出多比特光电存储器，可用于下一代光电存储器件

近日，新加坡国立大学研究团队采用二维（2-D）材料制成的异质结构，开发出新型多比特光电存储器，可用于下一代器件。

光电存储器是一种在光照条件下可以存储电荷载流子的器件。这些设备可用于图像捕获和频谱分析系统。二维原子层状材料是开发下一代光电存储器的良好候选者，以满足设备小型化和柔性的新兴要求。然而，过去的研究中，利用2-D材料制造的光电存储器具有较差的数据存储能力，在约8个不同的存储状态下具有最高的报告数据。

由新加坡国立大学化学系和物理系的Chen Wei教授领导的研究团队开发了一种多位非挥发性光电存储器件，通过使用二硒化钨/氮化硼可以存储多达130种不同的（WSe2/BN）异质结构。由2-D材料制成的异质结构在20层BN上包含单层WSe2。通过调整施加给器件的极性，控制编程（存储数据）和擦除（删除数据）功能。在编程功能期间施加负极性，并且它使得来自BN材料的中间隙供体状态的光子产生的电子转移到WSe2材料中。这在BN材料中留下了局部（非移动）正电荷。对擦除功能施加正极性，使BN材料的价带中的电子与局部正电荷重新结合，从而保持到中性状态。

转移到WSe2材料中的电子量取决于器件的曝光时间，曝光的时间越长，表示越多的电子被转移。研究人员发现，在设定饱和条件之前，可以检测到WSe2材料中多达130个光脉冲的电子的连续累积。这些脉冲中的每一个都是不同的存储状态。在性能测试期间，研究人员发现该器件的数据保持时间超过4.5×104秒，循环编程/擦除持续时间超过200个周期。

Chen教授对该发现的重要性做出了解释：“虽然与商用硅基存储器相比仍然存在性能差距，但这些器件在柔性电子应用中具有优势。该WSe2 / BN 2-D分层异质结构提供了一种实现多位存储器件的方法，可为下一代光电存储器的开发提供新思路。”

原文来自：phys，原文题目：Multibit optoelectronic memory，由材料科技在线团队编译。