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我国第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

来源：科技部|

发表时间：2018-08-31

点击：10450

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

“十二五”期间，863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。近日，科技部高新司在北京组织召开项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究，开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求，研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术，并实现智能家居演示系统的试制；开展第三代半导体封装和系统可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备出高性能SiC基GaN器件。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破，自主发展出相关材料与器件的关键技术，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。

“十三五”期间，为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，将“战略先进电子材料”列为发展重点之一，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，推动跨界技术整合，抢占先进电子材料技术的制高点。

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