设置登录密码
*密码
*确认密码
完善信息
*真实姓名
*公司名称
*您的职位
城市
*邮箱
*主营产品
*行业
企业类型
材质
功能
来源：中国科学院微电子研究所|
发表时间：2018-08-31
点击：10235
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
TSGOI晶圆的俯视图及其横截面
[声明]本文来源于互联网转载，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性、准确性等负责，尤其不对文中产品有关功能性、效果等提供担保。本站文章版权归原作者所有，内容为作者个人观点，本站提醒读者，文章仅供学习参考，不构成任何投资及应用建议，如需转载，请联系原作者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请与我们联系，我们将在第一时间处理！本站拥有对此声明的最终解释权。
