普渡大学：新型晶体管技术！可提高各类电子产品的运行速度和电池寿命

来自普渡大学的研究人员研发出一种晶体管技术，该技术具有提升计算机和手机性能的潜力。

场效应晶体管是计算机和其他电子设备中的基本开关设备，研究人员为其开发设计了一种新技术。这些类型的晶体管也有望成为下一代纳米器件的候选晶体管。与传统场效应晶体管相比，它们可为计算机和相关电子设备提供更好的开关性能。

如图所示为具有原子分辨率的传统硅/锗纳米晶体管，该晶体管具有源极、漏极和栅极他们互相接触以控制电荷的流动。来自普渡大学的研究人员研发出的该种晶体管技术，具有提升计算机和手机性能的潜力。图片来源：普渡大学

“我们的技术是独一无二的，因为该技术将激光和晶体管相结合，”普渡大学电子与计算机工程学院、纳米技术网络和材料与器件中心的研究助理教授Tillmann Kubis说道。“传统上，这两个领域之间并没有太多重叠，尽管这种组合对于物联网和其他相关领域来说其影响可能是十分强大的。”

将量子级联激光器和晶体管技术组合成单一设计概念，将有助于集成电路制造商在单位面积上构建得到更小和更多的晶体管。 普渡大学的这项技术旨在提高计算机、手机和其他数字设备的运行速度、灵敏度和电池寿命。

目前晶体管技术存在的一些问题就是其导通电流密度较低或截止电流密度受到抑制。这常常导致相关电子器件功率损失、电池寿命缩短。

而普渡大学研究出的晶体管和激光器组合，具有较大的导通电流、较低的截止电流以及小的亚阈值摆幅，这可提高电子器件的运行速度并使其能耗降低。该技术还结合或堆叠了多个开关机制，因此可同时打开或关闭晶体管。

“我们在普渡大学所做的这些研究工作，实际上也为场效应晶体管的未来打下了坚实基础，”Kubis如是说道，“站在创造技术的最前沿是十分令人兴奋的，这些研究工作在未来将对不同领域产生非常广泛的影响。”

来自普渡大学的研究团队正在努力优化技术和设计的整体有效性。

原文来自：nanowerk，原文题目：Transistor technology may improve speed, battery life for computers, mobile phones and other electronics，由材料科技在线团队翻译整理。