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来源：材料科技在线|
发表时间：2018-08-17
点击：14617
(a) K2Mo3As3晶体结构原理图; (b) K2Mo3As3多晶试样断口形貌的SEM表征; (c) 三种典型多晶K2Mo3As3样品电阻率的温度依赖性; (d) 三种K2MO3AS3样品的直流磁化率随温度的变化
来源：科学出版社
人们在过去的一个世纪时间里，在数千种具备不同化学成分和晶体结构的物质中观察到了超导电性。然而，研究人员仍未探索出超导体具备超导性能的原因。对于具有非常规高温超导性的铜和铁基化合物，超导电性与某些准二维结构单元的存在密切相关，如CuO2表面或Fe2As2/Fe2Se2层的表面。因此，低维材料由于强化了电子间的关联，数通常被认为是有利与奇异电子配对的结构因素，而在准一维(Q1D)化合物中，只有少数化合物在相当低的开尔文温度下才具有超导性。
最近，中国科学院物理研究所任志安教授领导的一个小组首次发现了Q1D化合物K2Mo3As3在温度超过10K的情况下具有超导性。人们虽然在20世纪70年代发现了许多硫化钼超导体，但有关砷化钼三元化合物具有超导性的报道却很少。任志安教授表示：“经过对钼基三元化合物的大量研究，我们成功地合成了一种新的化合物K2Mo3As3，该化合物具有典型的Q1D(Mo3As3)2线性链，是一种非中心对称的六方结构。我们通过对其电阻率、磁化率和热容量的测量，证实了在10.4K温度以下具备块状超导电性。”K2Mo3As3是第一个基于MoAs的超导体，并且打破了所有已知的Q1D超导体的温度极限。这一发现表明，Cr和Mo基的Q1D超导体可能在结构上有一些潜在的像似的共性，有助于揭示部分低维材料表现出超导性能的机制。
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