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失效分析怎样进行

来源:sunny|

发表时间:2018-06-26

点击:10307

怎样进行芯片失效分析?一般来说,集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免,随着人们对产品质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。


具体来说,失效分析的意义主要表现在以下几个方面:


1. 失效分析是确定芯片失效机理的必要手段;


2. 失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息;


3. 失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息;


4. 失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。


仪准失效分析主要服务项目包括:


1、芯片开封:去除IC 封胶, 同时保持芯片功能的完整无损, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame 不受损伤, 为下一步芯片失效分析实验(OM,EMMI,FIB)做准备。


2、SEM 扫描电镜 / EDX成分分析:包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。


3、探针测试:以微探针快捷方便地获取IC 内部电信号。


镭射切割:以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。


4、EMMI 侦测:EMMI 微光显微镜是一种效率极高的失效分析工具, 提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光), 由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。


5、OBIRCH 应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):OBIRCH 常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析. 利用OBIRCH 方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等;也能有效的检测短路或漏电, 是发光显微技术的有力补充。 


6、LG 液晶热点侦测:利用液晶感测到IC 漏电处分子排列重组, 在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像, 找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA 之故障点)。


7、定点/非定点芯片研磨。


8、去金球:移除植于液晶驱动芯片 Pad 上的金凸块, 保持Pad 完好无损, 以利后续分析或rebonding 。


9、X-Ray 无损侦测:检测IC 封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB 制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、 短路或不正常连接的缺陷, 封装中的锡球完整性。


10、SAM (SAT)超声波探伤可对IC 封装内部结构进行非破坏性检测 , 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏


如:晶元面脱层, 锡球、晶元或填胶中的裂缝, 封装材料内部的气孔,各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞等。


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