恩智浦推出适用于5G网络的全新高功率射频产品

美国费城(IMS 2018) –2018年6月12日 –恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）扩展其丰富的GaN和硅横向扩散金属氧化物半导体(Si-LDMOS)蜂窝基础设施产品组合，推动创新，以紧凑的封装提供行业领先的性能，助力下一代5G蜂窝网络发展。

5G连接涉及频谱扩展、更高阶位调制、载波聚合、全维波束赋形等关键技术，因此需要扩大技术基础才能支持增强移动宽带连接。根据频谱使用情况和网络占位空间，实施“多输入多输出”(MIMO)技术需采用四根(4TX)发射天线到64根甚至更多天线。5G网络的未来将取决于GaN和Si-LDMOS技术，而恩智浦一直身处射频功率放大器开发的前沿。

“恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS产品，此后25年一直处于领导地位。现在，恩智浦依托成功的历史经验，以行业领先的GaN技术巩固了自己的射频领导地位，为蜂窝移动应用提供出色的线性效率，”恩智浦资深副总裁兼射频功率事业部总经理Paul Hart表示，“凭借出色的供应链、全球应用支持和行业内出色的设计专业知识，恩智浦已成为5G解决方案领先的射频合作伙伴。”

在IMS 2018展会上，恩智浦推出全新射频GaN宽带功率晶体管，扩展其适用于宏蜂窝和户外小型基站解决方案的Airfast第三代Si-LDMOS产品组合。新产品包括：

· A3G22H400-04S: 这款GaN产品非常适合40 W基站，效率高达56.5%，增益为15.4dB覆盖从1800 MHz 到2200 Mhz的蜂窝频段。

· A3G35H100-04S：这款GaN产品提供43.8%的效率和14 dB的增益，可在3.5 GHz下实现16 TX MIMO解决方案。

· A3T18H400W23S：这款Si-LDMOS产品以1.8 GHz的频率领跑5G时代，Doherty效率高达53.4%，增益为17.1 dB。

· A3T21H456W23S：这款解决方案覆盖从2.11 GHz到2.2 GHz的全部90 MHz频带，体现了恩智浦Si-LDMOS产品出色的效率、射频功率和信号带宽性能。

· A3I20D040WN：在恩智浦集成式超宽带LDMOS产品系列中，这款解决方案提供46.5 dBm的峰值功率、365 MHz的带宽以及32 dB的AB级性能增益，在10 dB OBO时的效率达18%。

· A2I09VD030N：这款产品具有46 dBm的峰值功率，AB级性能增益为34.5 dB，在10 dB OBO时的效率为20%。这款产品的射频带宽为575 MHz至960 MHz。

恩智浦提供丰富多样的射频功率技术产品，涵盖GaN、硅-LDMOS、SiGe和GaAs，支持覆盖频率和功率频谱和多种集成度的5G产品。恩智浦不仅提供广泛的选择、构建数字计算产品，还支持基带处理应用，是端到端5G解决方案独特的供应商。