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台积电放大招:启动2nm工艺研发,预计2024年投产

来源:中关村在线|

发表时间:2019-06-15

点击:9558

文章来源:中关村在线、芯智讯


近期根据台积电声明,为迎接台积电3nm厂研发及先期量产,台湾政府方面于本月11日初审通过了竹科宝山用地扩建计划,台积电将会把2nm厂研发及量产工艺落户在竹科新厂区,预计2024年投入生产。


为打造半导体人才聚落,台积电盼以竹科作为未来先进制程重要基地,扩大新竹园区范围,预计在新竹园区南侧、新竹县宝山乡分作东侧园区及西侧社区两部分扩建,总面积约33公顷,可望引进产业活动人口约2,300人。


 


台积电表示现有RD厂只能做到5nm,3nm以下厂房标准、高度,必须配合新规定而扩大厂房。并且强调台积电RD工程师约有7,000位,必须把这些工程师人才留在新竹。


台积电表示未来如何把RD工程师转换到先进2nm厂才是重点,因准备土地要花三到五年时间,从现在考虑到五年后,也就是说,假设2nm厂须放在新竹,才能把部分工程师从研发转换到工厂,保证不会出现人才流失的现象。


台积电创办人张忠谋先前曾表示,3nm制程将在2年内开发成功。而关于2nm工艺所需要的技术和材料,台积电并未透露。


在实现2nm工艺之前,台积电还要接连经历7nm、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。


其中,台积电的7nm 工艺将首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已即将量产;而6nm只是7nm的一个升级版,预计明年第一季度试产;5nm工艺将全面导入EUV光刻,已经开始风险性试产,明年底之前有望实现量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。三星也早就规划到了3nm,预期2021年量产。



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