客户端

新材料在线APP下载

寻材问料下载

开通会员

精彩推荐

会员享研报折扣价、看项目BP、约投资人、每日在通讯录加更多好友等特权

开通会员 查看会员特权

登录/注册

热门媒体号

热门企业号

突破性进展!纳米芯片制造新技术

来源:材料科学与工程微信公众号|

发表时间:2019-01-31

点击:12821

近日,一个由美国纽约城市大学Riedo教授领导国际研究小组,在制造纳米芯片方面取得了突破性进展,可能对纳米芯片的生产和技术产生深远影响。研究称新型的热扫描探针光刻技术(t-SPL)比传统电子束光刻技术(EBL)相比具有明显的优势。相关成果发表在最新一期的《Nature Electronics》。


论文链接:https://www.nature.com/articles/s41928-018-0191-0


更小、更快的半导体二维材料是科学家一直追求的目标。该研究称,基于二维半导体材料二硫化钼的金属电极制造技术,采用100℃探针光刻技术效果优于标准的制造技术。这种过渡金属可能会取代硅,成为原子级芯片的材料之一。



与传统光刻技术相比,该热光刻技术显著的提升了二维晶体管的质量,芯片设计人员能够对二维半导体材料成像,并对电极进行图像化处理。此外,热光刻技术可以节省大量成本,降低功耗,并不需要采用高能电子和超高真空。


据美国纽约城市大学报道,Riedo希望热光刻技术能将大部分制造技术从洁净室转移到实验室,这便于快速的推进材料科学和芯片设计的发展。当热光刻技术的分辨率达到10nm,可使用120伏的标准电源,热光刻技术就会像3D打印技术一样出现在实验室。(来源:材料科学与工程微信公众号原创,未经允许请勿转载)

半导体通讯录

“本文由新材料在线®平台入驻媒体号材料科学与工程微信公众号提供,观点仅代表作者本人,不代表本网站及新材料在线®立场,本站不对文章内容真实性、准确性等负责,尤其不对文中产品有关功能性、效果等提供担保。本站提醒读者,文章仅供学习参考,不构成任何投资及应用建议。如需转载,请联系原作者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请与我们联系,我们将在第一时间处理!本站拥有对此声明的最终解释权。”

点击咨询

客服

下载APP

公众号

让客服与您联系

留下您的联系方式,让客服为您提供专属服务

关闭