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VerLASE在美国和日本获得2D材料应用在光源中重要专利

来源:新材料在线|

发表时间:2017-01-11

点击:1470


VerlASE技术有限公司(Bridgewater,NJ,USA)(其在2013年从美国佛罗里达州谢尔本市的技术开发公司Versatilis独立)声称,公司已获得美国专利局授予的第9,525,150号美国专利和日本专利局授予的第6027970号专利,进一步扩展其关于使用2D半导体材料作为LED、激光二极管和其它光电器件中有源发光层的专利组合。


该技术能够制造低成本的新型电致发光器件,其可以在可见光谱中以任何颜色直接发射,或者在期望的色温下用于白光的混合组合中,而不使用磷光体或其它颜色转换介质。Versatilis说,它可以在需要更小像素尺寸的应用中挑战有机发光二极管(OLED),例如用于增强现实(AR)和虚拟现实(VR)应用的微显示器,其中OLED难以用小像素实现足够的亮度。在其他应用方面,包括各种各样的小型显示器,从可穿戴设备到智能手机和平板电脑,提供了一些实用的方法,围绕一些技术和成本障碍采取更广泛的OLEDs。

半导体2D材料如石墨烯,已经引起了许多注意,因为它们在许多应用中的潜在用途。这样的材料可以在彼此弱结合的结晶层中生长,然后被切割或剥落成极薄层。VerLASE一直在研究由2D材料(如硒化镓、硫化镓和二硫化钨)制成的光致发光量子阱(QW),其可以制成不含镉或其他重金属的高效转换磷光体。


Versatilis以前获得了应用广泛的专利(US 9,035,344),其涵盖了使用这种2D半导体材料作为类似于量子点(QD)的磷光体,但作为“扁平”或2D方面的QW,其也可以采取纳米片晶(NPL)。该公司然后将第二个专利(US 9,269,854)中的工作扩展到,在有源器件中使用这种2D材料作为电致发光层。2D半导体材料的量子阱提供与量子点类似的光学优点(具有更窄的光谱特性,更好的颜色和颜色饱和度),但是可以更高效并且提供更好的热特性,在许多照明、投影仪和显示器应用中获得更好的稳定性。

在沉积制造有源器件所需的其它层时,也可以更容易地使用这种2D材料。有源层可以是受控厚度的剥离片,其它层是使它们成为通过化学工艺添加的器件或直接生长在合适衬底上的器件。根据所使用的具体化学物质,这种2D半导体甚至可以直接在硅上生长,使得能够利用可用的硅芯片制造基础设施,从而来实现低成本。正如该技术的首席技术官和发明家Ajay Jain说:“2D材料的独特属性使得低成本的电致发光器件,能够实现无机QW的原始QD视觉,相同的基本2D半导体材料也可以用作激光器和其它高价值电光器件中的增益介质”。



声明:本文由入驻新材料在线作者鹿野道人撰写,观点仅代表作者本人,不代表新材料在线立场。本站只提供参考并不构成任何投资及应用建议。本站拥有对此声明的最终解释权。

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